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论文题目: 一种应用于MCU待机模式的超低功耗LDO设计
第一作者: 张超;张志鹏;刘铁锋
参与作者:
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发表刊物: 微处理机
发表年度: 2017
卷,期,页: ,6,33-36
论文出处:
第一作者所在部门:
论文编号:
论文摘要: 设计了一种应用于MCU待机模式的超低功耗低压差线性稳压电路(LDO)。采用较少的MOS管以及简单的结构,只需提供一个15n A的偏置电流,可自产生偏置电压,无需带隙基准(Bandgap reference)电路提供基准电压。针对与主LDO协同工作的情况设计了输出级,能有效避免LDO同时工作引起的电源电压波动。在MCU的待机模式下,可以给上电复位(POR)、唤醒电路(Wakeup)、低功耗振荡器(LPOSC)、数据保持(Data retention)电路提供电源电压。该电路采用TSMC 0.18μm标准CMOS工艺。经过Synopsys Hspice仿真验证,输入电压为3.3V,输出电压为1.78V,在-25~125℃温度范围内温漂系数为30ppm/℃。整个LDO电路的整体的静态电流只有60n A,版图尺寸为25μm×38μm。
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